半导体器件基础--耗尽区 Depletion Zone


*半导体器件 - 耗尽区 Depletion Zone*

最初,当结型二极管形成时,载流子之间存在独特的相互作用。在 N 型材料中,电子很容易穿过结以填充 P 材料中的空穴。这种行为通常称为扩散。扩散是一种材料中载流子的高度积累和另一种材料中较低的聚集的结果。

一般来说,靠近结的载流子只参与扩散过程。离开 N 材料的电子会在其位置产生正离子。在进入 P 材料填充空穴时,这些电子会产生负离子。结果,结的每一侧都包含大量的正离子和负离子。

https://www.tutorialspoint.com/semiconductor_devices/images/depletion_region.jpg

这些空穴和电子耗尽的区域通常称为耗尽区。这是一个缺乏多数电流载体的领域。通常,在形成 PN 结时会形成耗尽区。下图显示了结型二极管的耗尽区。

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机器学习基础--EM算法


EM算法

Tags: 参数估计 场景: 1. 半监督学习分类器 2. 数据预处理:填充特征缺失值 3. 求解隐马尔科夫模型中的发射概率 4. 聚类

原理简介

概率模型中如果全部是观测变量,在给定数据之后,直接可以用最大似然估计或者贝叶斯估计模型参数

概率模型中如果存在隐变量就不能直接估计

EM是迭代求解概率模型中的隐变量,分两步,因为要求解期望【均值】,又称为期望最大极大算法

  1. E步求解期望
  2. M步求解极大

为啥用EM算法估计模型参数而不用最大似然估计

  1. 概率模型中包含隐变量的时候,最大似然依据的是已知样本,而隐变量没有对应样本,无法求解 【目标函数包含了未观测数据的分布的积分和对数】
  2. 公式

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半导体器件基础- - 结二极管


*半导体器件 - 结二极管*

由 P 和 N 材料制成的晶体结构通常称为结型二极管。它通常被认为是一个双端设备。如下图所示,一个端子连接到 P 型材料,另一个连接到 N 型材料。

这些材料连接的公共键点称为。结型二极管允许载流子沿一个方向流动并阻止电流沿相反方向流动。

下图显示了结型二极管的晶体结构。看一下 P 型和 N 型材料相对于结的位置。晶体的结构从一端到另一端是连续的。连接点仅作为一个分离点,代表一种材料的结束和另一种材料的开始。这种结构允许电子在整个结构中彻底移动。

https://www.tutorialspoint.com/semiconductor_devices/images/junction.jpg

下图显示了半导体物质在形成 PN 结之前的两部分。如指定的,材料的每个部分都有多数少数载流子

https://www.tutorialspoint.com/semiconductor_devices/images/crystal_structure.jpg

每种材料中载流

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半导体器件基础--半导体的种类和掺杂


*半导体的种类*

当向半导体器件施加电压时,电子电流流向源极的正侧,空穴电流流向源极的负侧。这种情况只发生在半导体材料中。

硅和锗是最常见的半导体材料。一般来说,半导体的电导率介于金属和绝缘体的电导率之间。

锗作为半导体

以下是关于锗的一些要点-

  • 锗的最外层轨道有四个电子。在键中,原子仅显示其外部电子。
  • 锗原子将在共价键中共享价电子。如下图所示。锗是与共价键相关的那些。锗的结晶形式称为晶格。这种结构的原子排列方式如下图所示。
  • 在这种布置中,电子处于非常稳定的状态,因此不太适合与导体相关联。在纯态中,锗是一种绝缘材料,被称为本征半导体

下图显示了硅和锗的原子结构。

https://www.tutorialspoint.com/semiconductor_devices/images/atomic_structure.jpg

硅作为半导体

半导体设

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半导体器件基础--电导率和迁移率


*电导率和迁移率*

如前所述,每个原子可能有一个或多个自由电子,它们在外加场的影响下一直穿过金属内部。

下图显示了金属内的电荷分布。它被称为金属的电子气描述

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散列区域代表带正电荷的原子核。蓝点代表原子外壳中的价电子。基本上,这些电子不属于任何特定的原子,因此,它们失去了个人身份并在原子间自由漫游。

当电子连续运动时,每次与重离子碰撞时,传输方向都会发生变化。这是基于金属的电子气理论。碰撞之间的平均距离称为平均自由程。在给定时间内,在金属中以相反方向通过单位面积的电子,在随机的基础上,使平均电流为零。

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半导体器件基础--固体材料中的传导


*固体材料中的传导*

原子外环中的电子数量仍然是导体和绝缘体之间差异的原因。众所周知,固体材料主要用于电子设备中以实现电子传导。这些材料可以分为导体、半导体和绝缘体。

然而,导体、半导体和绝缘体是通过能级图来区分的。此处将说明使电子离开其价带并进入传导所需的能量。该图是材料中所有原子的组合。绝缘体、半导体和导体的能级图如下图所示。

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价带

底部是价带。它代表最接近原子核的能级,价带中的能级保持平衡原子核正电荷所需的正确电子数。因此,这个带被称为填充带

在价带中,电子与原子核紧密结合。在能级中向上移动,电子在每个后续能级中与原子核的结合更加轻微。在靠近原子核的能级中干扰电子并不容易,因为它们的

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半导体器件基础--原子组合


简介

众所周知,原子核与特定原子的电子的距离是不相等的。通常,电子在明确定义的轨道上旋转。特定数量的电子只能通过外壳或轨道保持。原子的电导率主要受外壳电子的影响。这些电子与电导率有很大关系。

导体和绝缘体

导电是电子不规则或不受控制的运动的结果。这些运动使某些原子成为良好的电导体。具有这种类型原子的材料在其外壳或轨道中具有许多自由电子。

相比之下,绝缘材料的自由电子数量相对较少。因此,绝缘体的外壳电子往往会牢牢地保持其位置,几乎不允许任何电流流过它。因此,在绝缘材料中,很少发生导电性。

*半导体*

在导体和绝缘体之间,还有第三类原子(材料),称为半导体。一般来说,半导体的电导率介于金属和绝缘体

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英伟达与元宇宙(一)


英伟达与元宇宙

如何看待USD的发展

什么是USD

  • 创始人: Pixar 皮克斯
  • 创建初衷: 生产电影级质量的数字内容,并且有着很好的拓展性
  • 全名:Universal Scene Description
  • 描述:易于扩展的开源3D场景说明和文件格式,在不同的工具间进行内容创作和转换
  • 应用示例: 玩具总动员4——-对于动画电影制作流程有革命性改进

Untitled

什么是 NVIDIA Omniverse

  • 描述:创建和运行元宇宙应用的平台;基于 USD的可扩展平台,可使个人和团队更快地构建自定义 3D 工作流并模拟大型虚拟世界
  • 教程中心:https://developer.nvidia.com/nvidi

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拉格朗日乘法解决约束条件下的最优问题


拉格朗日乘数法

寻找变量受一个或多个条件所限制的多元函数极 值方法。将n个变量和k个约束的最优问题转换为 n+k变量的方程组极值问题,变量没有约束。

拉格朗日乘数:约束方法梯度的线性组合中各向量的系数(法向量的系数)


用拉格朗日乘法解决约束条件下的最优问题

二元类型

目标函数:

$$ f(x,y) = x^2+4y^2 -2x+8y $$

约束条件: $$ x+2*y=7 $$

最优问题:在约束条件下找目标函数f(x,y)的最小值

几何问题:目标函数为一个椭圆,约束条件为直线,最优问题在几何上表现为,椭圆经过放大后和直线相交情况下最小面积。

  1. 确认目标函数
  2. 确认约束函数 $$

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视频片段检索研究综述


视频片段检索研究综述

视频片段检索旨在利用用户给出的自然语言查询语句,在一个长视频中找到最符合语句描述的目标视频 片段.视频中包含丰富的视觉、文本、语音信息,如何理解视频中提供的信息,以及查询语句提供的文本信息,并进行 跨模态信息的对齐与交互,是视频片段检索任务的核心问题.本文系统梳理了当前视频片段检索领域中的相关工作,将它们分为两大类:基于排序的方法和基于定位的方法. 其中,基于排序的方法又可细分为预设候选片段的方法和有 指导地生成候选片段的方法;而基于定位的方法则可分为一次定位的方法和迭代定位的方法.本文还对本领域的数 据集和评价指标进行了介绍,并对一些模型在多个常用数据集上的性能进行了总

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