半导体器件 - 耗尽区 Depletion Zone

最初，当结型二极管形成时，载流子之间存在独特的相互作用。在 N 型材料中，电子很容易穿过结以填充 P 材料中的空穴。这种行为通常称为扩散。扩散是一种材料中载流子的高度积累和另一种材料中较低的聚集的结果。

一般来说，靠近结的载流子只参与扩散过程。离开 N 材料的电子会在其位置产生正离子。在进入 P 材料填充空穴时，这些电子会产生负离子。结果，结的每一侧都包含大量的正离子和负离子。